Intel宣布，其45纳米工艺技术已经研发成功，估计到明年下半年开始出货45纳米处理器。Intel副总裁表示，使用45纳米工艺，不仅能大幅提高Intel处理器的性能，更能体现Intel此前提出的概念——性能每瓦特。

据透露，Intel目前已经使用45纳米技术开发出了第一块SRAM(Static Random Access Memory)芯片，该芯片集成了10亿个晶体管，使用了面积为0.346平方微米的六晶体管SRAM单元，面积119平方毫米，比65nm版本减小了将近一半，晶体管密度提高1倍、切换电压减少30％、切换速度提高20％、电压泄漏降为五分之一。

电压泄漏降为65纳米的五分之一相当重要——它能够大幅降低处理器功耗，提高移动平台电池的续航能力，从而能搭建更强大的移动平台。

Intel将在2007年开始使用45纳米工艺生产处理器，45纳米的顺利投产，将标志着摩尔定律的进一步延伸。

Intel透露，率先使用45纳米工艺的工厂将是位于Arizona的Fab 32和位于Israel的Fab 28。

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